应能微电子申请ESD加固的LDMOS器件及其制备方法专利,提高高压LDMOS及同类横向器件的抗ESD能力

金融界2024年10月31日消息,国家知识产权局信息显示,江苏应能微电子股份有限公司申请一项名为“一种ESD加固的LDMOS器件及其制备方法”的专利,公开号CN 118841450 A,申请日期为2024年9月。

专利摘要显示,本发明属于电子元器件领域,公开了一种ESD加固的LDMOS器件及其制备方法,包括衬底和设置在衬底上表面的外延层,还包括体区、漏接触区、源接触区、衬底接触区、介质区、栅极多晶硅、漏极金属、源极金属和衬底极金属,其中,体区和漏接触区均位于外延层内部上方;源接触区和衬底接触区均位于体区内部上方;介质区位于外延层的上方;漏极金属、源极金属和衬底极金属均位于介质区的上方,且漏极金属穿过介质区延伸至漏接触区内,源极金属穿过介质区延伸至源接触区内,衬底极金属穿过介质区与衬底接触区上表面相接触;栅极多晶硅位于介质区的上方。本发明可以消除LDMOS的电流集中区,从而提高高压LDMOS及同类横向器件的抗ESD能力。

本文源自金融界

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